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用户员授相关工作发表在国际顶级能源材料期刊Energy StorageMaterials(EnergyStorageMater.10(2018):130-138)。企业权委(c)制得的原始SnSe样品。由于普通硒化锡半导体中空穴为多数载流子,托书n型多晶硒化锡块体一般较难实现。
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